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我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底

2019/04/11 来源:广安信息港

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我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世作者:王延斌 来源:中国科技-科技我新一代雷达核心部件材料实现国产化科技济南7月

我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世

作者:王延斌 来源:中国科技-科技

我新一代雷达核心部件材料实现国产化

科技济南7月6日电 (通讯员辛鹏波 王延斌)近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世油菜籽
。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内,已达到国际先进水平针灸培训班

碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,是新一代雷达系统的核心。长期以来,碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大,一直是,国际上只有少数国家掌握该技术,并一直对我国进行技术封锁和产品禁运。

据了解,碳化硅基微波器件作为当今世界为理想的微波器件,其功率密度是现有微波器件的10倍,将成为下一代雷达技术的标准,美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品,军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说,研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

项目研发者、山东天岳公司负责人表示,4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料,它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心支撑杆价格
,并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。

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